聯電將跳過20奈米(nm)製程節點，全力卡位14奈米鰭式電晶體(FinFET)市場。由於20奈米研發所費不貲，加上市場需求仍不明朗，因此聯電已計畫在量產28奈米後，直接跨過20奈米節點，加速挺進更具投資效益的14奈米FinFET世代，以與台積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)一較高下。
聯電市場行銷處處長黃克勤表示，20奈米製程帶來的效益將不如從40奈米演進至28奈米的水準，且須導入雙重曝光(Double Patterning)方案，勢將增加一筆可觀花費，已使處理器業者的導入意願開始動搖；再加上主要晶圓代工業者皆規畫在2015年推出16或14奈米FinFET製程，在多方權衡之下，聯電遂決定放緩20奈米投資，專心克服14奈米FinFET牽涉的材料摻雜、測試驗證和晶圓前後段混搭製程等技術挑戰，以因應即將到來的FinFET市場卡位戰。
據悉，28奈米高介電係數金屬閘極(HKMG)係一具主導性、生命週期較長的製程方案；相形之下，20奈米可能成為非主流製程(Weak Node)，因晶片效能提升與投資成本效益不一定勝過直接導入14奈米FinFET，僅有一線處理器大廠為維持技術領先優勢才會計畫採用。
事實上，聯電在今年首季即公布其未來的製程演進藍圖與主力推動技術，其中獨漏20奈米規畫已現端倪。黃克勤指出，目前聯電已將火力對準中國大陸應用處理器開發商，以及智慧電視(Smart TV)和機上盒(STB)晶片商導入28奈米製程的龐大需求商機，積極拉攏新客戶，以刺激旗下28奈米製程營收成長。
至於下一階段的發展策略，聯電亦已押寶14奈米FinFET製程，將於2015年上市，與台積電、格羅方德和三星等大廠展開廝殺。
黃克勤強調，英特爾(Intel)率先投入FinFET製程量產，大幅提高處理器效能並降低功耗，近來在行動裝置品牌市場已有不錯成績；一旦其市占持續攀升，勢將影響高通(Qualcomm)與相關晶圓代工供應鏈的投資計畫，並加速製程研發步調，以免技術差距持續被拉大。因應此一趨勢，聯電遂傾向將資源集中在FinFET技術上，並跳過20奈米製程發展。
